商品名稱：SAK-TC264D-40F200W?BC
數(shù)據(jù)手冊：
SAK-TC264D-40F200W BC.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：144-LQFP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
SAK-TC264D-40F200W BC 32位TriCore? 微控制器旨在滿足汽車行業(yè)在性能和安全方面的嚴(yán)格需求。
SAK-TC264D-40F200W BC 基于AURIX TriCore的產(chǎn)品還提供了工業(yè)、CAV和運輸部門所需的多功能性，在優(yōu)化電機控制應(yīng)用和信號處理方面表現(xiàn)出色。
零件號：SAK-TC264D-40F200W BC
DMA通道：48
閃存：2.5 MB閃存ECC保護
CAN節(jié)點：5個
ADC模塊數(shù)量：7
SRAM:240千字節(jié)
產(chǎn)品特征
兼容性和可擴展性
系統(tǒng)成本低
行業(yè)基準(zhǔn)系統(tǒng)性能
易于使用
廣泛的投資組合
通過汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
用于安全保障的AURIX硬件安全模塊（HSM）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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