商品名稱：SAL-TC299TP-128F300N BC
數(shù)據(jù)手冊：
SAL-TC299TP-128F300N BC.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：516-LFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
SAL-TC299TP-128F300N BC是32位三核微控制器芯片，300MHz三核/DSP功能，多樣化的鎖步核心冗余和帶時鐘延遲的多樣化定時模塊（GTM、CCU6、GPT12）。
型號：SAL-TC299TP-128F300N BC
封裝：516-LFBGA
類型：32位三核微控制器IC
產(chǎn)品特征
單電壓電源5V或3.3V
高達(dá)728KB+2MB RAM，帶ECC保護(hù)，用于雷達(dá)/相機(jī)圖像存儲
高達(dá)8 MB的帶ECC保護(hù)的閃存
產(chǎn)品應(yīng)用
電動汽車充電
輕量級網(wǎng)絡(luò)和網(wǎng)關(guān)
300MHz SAL-TC299TP-128F300N BC 32位三核微控制器芯片516LFBGA
型號
品牌
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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