商品名稱：IXTH24N50L
數(shù)據(jù)手冊：
IXTH24N50L.pdf
品牌：IXYS
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
IXTH24N50L 是N通道增強模式功率MOSFET，設計用于線性操作，采用國際標準封裝。該線性功率MOSFET具有擴展FBSOA，具有氮化鋁隔離的miniBLOC，高功率密度，節(jié)省空間且易于安裝的封裝，以及符合UL94 V-0可燃性分類的成型環(huán)氧樹脂。
該MOSFET可用于可編程負載，電流調節(jié)器，DC-DC轉換器，電池充電器，DC斬波器以及溫度和照明控制等應用。
規(guī)格
FET類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：500 V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：24 A (Tc)
驅動電壓：20V
不同 Id，Vgs時的 Rds On：300毫歐 @ 500mA、20V
不同Id時的Vgs（th）：5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）：160 nC @ 20 V
Vgs (最大值)：±30V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）：2500 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率：400W (Tc)
工作溫度：-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247 (IXTH)
供應商器件封裝：TO-247-3
基本產品編號：IXTH24
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
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MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產品： 功率 MOSFET 模塊 類型： 半橋模塊 半橋模塊 技術： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 最低工作溫度：- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量：8 克特點高速開關，低電容阻斷電壓高，RDS（導…
IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型： HiperFET HiperFET 技術： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 安裝方式：螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼：SOT-227-4 最低工作溫度：- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間：1…
IXYH8N250CHV
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IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT，器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT（打穿）生產。600V GenX3?針對高電流應用進行了優(yōu)化，這類應用需要高達200 kHz的軟開關頻率和40 kHz的硬開關頻率。 這些器件采用了我們久經考驗的打穿（PT）技術，該技術可提高浪涌電流性能、降低…
IXBK55N300
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