商品名稱:STM32H563ZIT6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H563ZIT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-144
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1088 件
STM32H563VIT6器件是基于高性能Arm? Cortex?-M33 32位RISC內(nèi)核的高性能微控制器系列(STM32H5系列)。它們的工作頻率高達(dá)250 MHz。
特點(diǎn)
Arm? Cortex?-M33 CPU,帶有TrustZone?,F(xiàn)PU,頻率高達(dá)250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)
ART加速器
8K字節(jié)的指令緩存,允許從閃存和外部存儲(chǔ)器的0等待狀態(tài)執(zhí)行
用于外部存儲(chǔ)器的4K字節(jié)數(shù)據(jù)高速緩存
基準(zhǔn)測試
1.5 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
1023 CoreMark? (4.092 CoreMark?/MHz)
存儲(chǔ)器
高達(dá)2兆字節(jié)的嵌入式閃存,帶有ECC,2個(gè)庫的讀寫功能
每組高達(dá)48K字節(jié),具有高循環(huán)能力(100K循環(huán))的數(shù)據(jù)閃存
2K字節(jié)的OTP(一次性可編程)
640千字節(jié)的SRAM(64千字節(jié)的SRAM2帶ECC,320千字節(jié)的SRAM3帶靈活ECC)。
在最低功率模式下有4KB的備份SRAM
靈活的外部存儲(chǔ)器控制器,具有高達(dá)16位的數(shù)據(jù)總線: SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存儲(chǔ)器
一個(gè)Octo-SPI存儲(chǔ)器接口,支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/flash幀格式
兩個(gè)SD/SDIO/MMC接口
時(shí)鐘管理
內(nèi)部振蕩器: 64 MHz HSI, 48 MHz HSI48, 4 MHz CSI, 32 kHz LSI
通用輸入/輸出
多達(dá)139個(gè)具有中斷能力的快速I/O(大多數(shù)為5V耐受)
多達(dá)10個(gè)I/O,獨(dú)立電源低至1.08V
低功耗
睡眠、停止和待機(jī)模式
VBAT為RTC、32x 32位備份寄存器供電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32WBA50KGU6
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STM32MP255FAL3 器件基于高性能單核或雙核 Arm Cortex-A35 64 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 1.5 GHz。Cortex-A35 處理器包括每個(gè) CPU 的 32-Kbyte L1 指令高速緩存、每個(gè) CPU 的 32-Kbyte L1 數(shù)據(jù)高速緩存和 512-Kbyte L2 高速緩存。Cortex-A35 處理器采用高效的 8 級順序…STM32U073CBT6
STM32U073CBT6:超低功耗微控制器,基于工作頻率可達(dá)56 MHz的高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內(nèi)核。型號:STM32U073CBT6封裝:LQFP-48類型:高性能32位微控制器 - MCUSTM32U073CBT6 - 產(chǎn)品特征:1.71 V至3.6 V電源-40 C至85/125 C溫度范圍VBAT模式:130 nA(采用RTC和9 x …電話咨詢:86-755-83294757
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