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NTP095N65S3HF是一種高壓超結（SJ）MOSFET家族，利用電荷平衡技術實現(xiàn)卓越的低導通電阻和較低的柵極電荷性能。

產(chǎn)品屬性
FET型N溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏極-源極電壓（Vdss）650 V
電流-25°C時的連續(xù)漏極（Id）36A（Tc）
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）10V
Id時Rds On（Max），18A、10V時Vgs為95mOhm
Vgs（最大值）±30V
輸入電容（Ciss）（最大）@Vds 2930 pF@400 V
功耗（最大）272W（Tc）
工作溫度-55°C~150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼TO-220-3

特征
700伏@TJ=150°C
典型RDS（開啟）=82米
超低柵極電荷（典型Qg=66 nC）
低有效輸出電容（典型Coss（eff.）=569 pF）
100%雪崩測試
這些設備不含鉛，符合RoHS標準

集成電路芯片 NTP095N65S3HF 650V功率N溝道晶體管 TO-220-3

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