商品名稱:F-RAM
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY15B201QSN-108SXE - EXCELON? 1Mbit Automotive-E Quad SPI F-RAM 存儲器 IC
一、描述:
CY15B201QSN-108SXE 是一款采用先進鐵電工藝的高性能 1-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。CY15B201QSN 將 1-Mb F-RAM 與高速 Quad SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相結(jié)合,增強了 F-RAM 技術(shù)的非易失性寫入能力。該器件支持循環(huán)冗余檢查 (CRC) 功能,可用于檢查存儲器陣列中存儲數(shù)據(jù)的完整性。
二、主要功能:
1-Mbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 128K × 8
- 先進的高可靠性鐵電工藝
單輸入/輸出和多輸入/輸出串行外設(shè)接口 (SPI)
SPI 時鐘頻率
- 高達 108MHz 頻率 SPI 單數(shù)據(jù)速率 (SDR)
- 高達 54MHz 頻率的 SPI 雙數(shù)據(jù)速率 (DDR)
專用 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM
- 專用特殊扇區(qū)寫入和讀取
- 內(nèi)容可經(jīng)受長達三個標準回流焊周期的考驗
低壓工作 - VDD = 1.8 V 至 3.6 V
汽車工作溫度:-40°C 至 +125°C
符合 AEC - Q100 1 級標準
8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 6.7 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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