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產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 196 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 405 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
通道模式: Enhancement
商標: Nexperia
配置: Single
下降時間: 69 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 65 ns
工廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 127 ns
典型接通延遲時間: 41 ns
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