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ON 場效應(yīng)管 NTLUD3A260PZTAG MOSFET - 陣列 2個 P溝道(雙)

ON 場效應(yīng)管 NTLUD3A260PZTAG MOSFET - 陣列 2個 P溝道(雙)

來源:本站時間:2022-09-19瀏覽數(shù):

明佳達(dá)供應(yīng)進(jìn)口原裝ON 場效應(yīng)管 NTLUD3A260PZTAG MOSFET - 陣列 2個 P溝道(雙)現(xiàn)貨庫存,質(zhì)量保證,實單有接受價請咨詢,QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@163.com?。?!

明佳達(dá)供應(yīng)進(jìn)口原裝ON 場效應(yīng)管 NTLUD3A260PZTAG MOSFET - 陣列 2個 P溝道(雙)現(xiàn)貨庫存,質(zhì)量保證,實單有接受價請咨詢,QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@163.com?。。?/span>


制造商:onsemi

產(chǎn)品型號:NTLUD3A260PZTAG

描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN

詳細(xì)描述:MOSFET - 陣列 2 個 P 溝道(雙) 20V 1.3A 500mW 表面貼裝型 6-UDFN(1.6x1.6)

NTLUD3A260PZTAG.jpg

屬性參數(shù)

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: UDFN-6  

晶體管極性: P-Channel  

通道數(shù)量: 2 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 1.7 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 650 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V  

Qg-柵極電荷: 4.2 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 800 mW  

通道模式: Enhancement  

配置: Dual  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

系列: NTLUD3A260P  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  


應(yīng)用

?高邊負(fù)載開關(guān)

? PA 開關(guān)

?針對便攜式電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化產(chǎn)品,例如手機、PMP、DSC、GPS 等


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